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2377 articles disponibles

Affichage 21 articles: HGTG40N60B3 à IHW20N135R3 (Page 70 sur 114)

Transistor HGTG40N60B3
HGTG40N60B3
35.22€ TTC
30 En stock
30 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 290W. Vce(sat): 1.4V. Boîtier: TO-247(AC). td(On): 47ns. td(Off): 170ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N HGTG5N120BND
HGTG5N120BND
17.02€ TTC
79 En stock
79 En stock

Transistor IGBT canal-N 1200V 21A/80Ap 167W Vce(sat) : 2.45V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HPA100R
HPA100R
44.24€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor NPN HPA100R. N+D 1500/800V 10A 150W. Boîtier: 0.2. HA. hi-def. Constructeur: SAN. MONITOR

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HPA150R
HPA150R
58.63€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor NPN HPA150R. N+D 1500/800V 15A 180W. Boîtier: 0.2. HA. hi-def. Constructeur: SAN. MONITOR

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HSB772
HSB772
1.79€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 3A. Boîtier: TO-126ML (isolé). Fréquence maxi: 80 MHz. Puissance: 10W.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor HSCF4242
HSCF4242
3.70€ TTC
850 En stock
850 En stock

Transistor NPN HSCF4242 450/400V 7A 30W 1/3uS TO220FP. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 7 A. Boîtier: TO-220FP. Constructeur: HI-SINCERITY. TO-220F isolé. Tension collecteur/base maxi: 450 V. Puissance: 30 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HSD1609-D
HSD1609-D
1.85€ TTC
176 En stock
176 En stock

Transistor NPN HSD1609-D 160V 0.1A 1.25W 145MHz TO-126ML. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-126ML.. hFE: 160-320. Constructeur: HI-SIN. Paire: HSB1109.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HT772-P
HT772-P
1.51€ TTC
102 En stock
102 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 30V. Courant collecteur maxi: 3A. Boîtier: TO-126. Gain Hfe: 160-320 Tension collecteur/base maxi: 40 V

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75307D3
HUF75307D3
2.91€ TTC
51 En stock
51 En stock

Transistor HUF75307D3 N-MOS 55V 15A 45W 0.075R. UltraFET Power MOSFET. Constructeur: FAIRCHILD. Boîtier: TO-251AA(I-Pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.075. Puissance: 45 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75307D3S
HUF75307D3S
3.25€ TTC
108 En stock
108 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 35W. Rds: 0.09 Ohm. UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-252AA (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75344G3
HUF75344G3
9.97€ TTC
30 En stock
30 En stock

Transistor HUF75344G3 N-MOS 55V 75A 285W 0.065R. UltraFET Power MOSFET. Constructeur: FAIRCHILD. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Rds (Ohms): 0.065. Puissance: 285 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75344P3
HUF75344P3
12.54€ TTC
69 En stock
69 En stock

Transistor HUF75344P3 N-MOS 55V 75A 285W 0.065R. UltraFET Power MOSFET. Constructeur: FAIRCHILD. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Rds (Ohms): 0.065. Puissance: 285 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N HUF75645P3
HUF75645P3
9.80€ TTC
48 En stock
48 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 75A/430Ap 310W. Résistance passante RDSon : 0.0115 Ohms (65A)

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N HUF75645S3S
HUF75645S3S
9.18€ TTC
637 En stock
637 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 75A/430Ap 310W. Résistance passante RDSon : 0.0115 Ohms (65A)

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF76121D3S
HUF76121D3S
5.10€ TTC
95 En stock
95 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 20A. Puissance: 75W. Rds: 0.017 Ohm. UltraFET Power MOSFET. Logic Level. Boîtier: TO-252AA (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGCM15F60GA
IGCM15F60GA
58.02€ TTC
2 En stock
2 En stock

N-IGBT+D Module 600V 15A 24-Pin

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N IGCM20F60GA
IGCM20F60GA
72.46€ TTC
5 En stock
5 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée Module 600V 15A 24-Pin

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGW75N60H3
IGW75N60H3
22.51€ TTC
26 En stock
26 En stock

N-IGBT 600V 140A/225Ap 428W Vce(sat)1.85V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: IGW75N60H3. Jelzés a tokon: G75H603. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 140 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 428 W. VGE

 
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Transistor IGBT canal-N IHW15N120R3
IHW15N120R3
14.45€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor IGBT canal-N 1200V 30A/45Ap 254W Vce(sat) : 1.48V

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IHW20N120R3
IHW20N120R3
17.58€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 40A. Puissance: 310W. Vce(sat): 1.48V. Boîtier: TO-247AC. td(On): 359ns. td(Off): 387ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IHW20N135R3
IHW20N135R3
19.26€ TTC
23 En stock
23 En stock

N-IGBT 1350V 40A/60Ap 310W Vce(sat) 1.6V

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON